[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-3] 面内圧縮歪みを有するβ-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇是石 和樹¹、相馬 拓人¹、加渡 幹尚²、大友 明¹ (1.東工大物質理工、2.トヨタ自動車)

キーワード：酸化ガリウム、エピタキシャル薄膜、第一原理計算

β-Ga₂O₃はこれまで数多くのエピタキシャル成長例が報告されてきたが、その電子物性を格子歪みにより制御した例は未だ存在しない。そこで本研究では、格子定数の異なるバッファ層上にβ-Ga₂O₃薄膜を成長させることで面内圧縮歪みを印加し、その物性評価を行った。