[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-7] スパッタリング時の圧力によるAlScN膜への影響

〇(B)時田 幸村¹、Tsai Sung-Lin¹、星井 拓也¹、若林 整¹、筒井 一生²、角嶋 邦之¹ (1.東工大工、2.東工大科技創研)

キーワード：AlScN、leakage current、orientation

AlN結晶にScを導入したウルツ鉱Al_1-xSc_xN(0<x≤0.43)は強誘電性を示すことが報告されており、強誘電体メモリとしての利用が期待されている。c軸に配向して成膜できる報告があるが、スパッタリング条件によっては変化する。配向具合の電気特性への影響について詳細な検討例が少ないため、本報告では、スパッタリング時の圧力を1.2Paと0.7Paと2条件で堆積した2つのAlScN膜を用いてキャパシタを作製し、リーク電流や耐圧の測定を行った。