[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-8] 強誘電性ノンドープHfO₂薄膜形成における界面層厚の低減とMFSFETの動作特性に関する検討

〇田沼 将一¹、Joong-Won Shin¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大院工)

キーワード：強誘電性ノンドープHfO2、強誘電体ゲートトランジスタ、RFマグネトロンスパッタ法

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。前回、我々はMFSFETにおける界面層厚の低減について報告した。今回、界面層厚を低減した強誘電性ノンドープHfO₂薄膜を用いたMFSFETの動作特性に関する検討を行ったので報告する。