[22p-A406-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[22p-A406-1] Plasma-induced electronic defects ~ effects of Ar plasma on H-terminated Si surface~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Kazunori Koga², Masaharu Shiratani² (1.AIST, 2.Kyushu Univ.)

Keywords:plasma, semiconductor, defect

先端半導体の作製において、シリコン（Si）のエッチング、酸化膜や窒化膜等のALE（atomic layer etching）プロセスで、アルゴン（Ar）ベースのプラズマが広く使用される。エッチングでは、通常、加工精度の向上に加え、下地材料へのダメージ（格子欠陥や構造変化）を抑止することが重要であり、活性種やイオンエネルギーが高度に制御される。しかしながら、ダメージの形成は、材料やプロセス条件により異なるため十分に解明されていない。そこで、今回、表面欠陥（ダングリングボンドや構造変化）の形成過程に関する基礎的な知見を得る目的で、水素終端Si表面上にArプラズマを照射する実験を行い予備的な結果を得たので報告する。