The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[22p-A406-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Thu. Sep 22, 2022 1:00 PM - 5:00 PM A406 (A406)

Toru Harigai(Toyohashi Univ. of Tech.), Takayoshi Tsutsumi(名大)

1:15 PM - 1:30 PM

[22p-A406-2] Effects of Plasma-damaged Surface Structure on Mechanical Property Change in Silicon Nitride Films

Takahiro Goya1, Keiichiro Urabe1, Koji Eriguchi1 (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma induced damage, mechanical property evaluation, nanoindentation

プラズマプロセスは,材料表面近傍にプラズマ誘起ダメージ(PID)を形成する.高アスペクト比構造や歪みによる電荷移動度制御を取り入れた先端半導体デバイスの更なる発展には,PIDを考慮した機械特性制御が重要である.今回,PID形成後のシリコン窒化(SiN)膜に対してウェットエッチングを用いた表面酸化層除去による効果を調べた.様々なPIDプロファイルがSiN膜の機械特性に及ぼす影響をナノインデンテーションにより評価した.