[22p-A406-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [22p-A406-3] 【Highlighted Presentation】Surface Reaction Mechanisms to Realize High-throughput SiN ALE

〇Akiko Hirata¹, Masanaga Fukasawa¹, J. U. Tercero², Katsuhisa Kugimiya¹, Yoshiya Hagimoto¹, Kazuhiro Karahashi², Satoshi Hamaguchi², Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions Corp., 2.Osaka Univ.)

Keywords:Atomic Layer Etching, High-throughput, Surface Reaction

近年、超高精度加工の目的でALE (Atomic Layer Etching) が検討されている。しかし、反応層を除去するために長時間処理が必要であり、プロセス時間が課題である。先行研究では、Si ALEにおいて高イオンエネルギーを用いても自己停止反応が得られる事が報告されている。今回は、短時間化を目的に、高イオンエネルギーで短時間の高スループットなSiN ALE構築を目的に、その表面反応メカニズムを報告する。