[22p-A406-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[22p-A406-4] プラズマアシスト熱サイクル法を用いたSiGeのセルフリミティング性サイクルエッチング

〇篠田 和典¹、三浦 勝哉¹、前田 賢治²、伊澤 勝²、NGUYEN Thi-Thuy-Nga³、石川 健治³、堀 勝³ (1.日立研開、2.日立ハイテク、3.名大)

キーワード：エッチング、プラズマ、シリコンゲルマニウム

プラズマ処理とランプ加熱の繰り返しによるSiGeの等方性サイクルエッチングを検討した。窒素を含むハイドロフルオロカーボン系ガスのプラズマにより膜表面に反応層を生成した後に，ランプ加熱によりこの反応層を脱離させるサイクル処理を検討した。その結果、エッチング量は，プラズマ処理時間に対してセルフリミティング性を示した。また，エッチング量は，膜のGe組成が増えるほど小さくなった。