[22p-A406-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[22p-A406-1] プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～水素終端Si表面に及ぼすArプラズマの効果～

〇布村 正太¹、坂田 功¹、古閑 一憲²、白谷 正治² (1.産総研、2.九大)

キーワード：プラズマ、半導体、欠陥

先端半導体の作製において、シリコン（Si）のエッチング、酸化膜や窒化膜等のALE（atomic layer etching）プロセスで、アルゴン（Ar）ベースのプラズマが広く使用される。エッチングでは、通常、加工精度の向上に加え、下地材料へのダメージ（格子欠陥や構造変化）を抑止することが重要であり、活性種やイオンエネルギーが高度に制御される。しかしながら、ダメージの形成は、材料やプロセス条件により異なるため十分に解明されていない。そこで、今回、表面欠陥（ダングリングボンドや構造変化）の形成過程に関する基礎的な知見を得る目的で、水素終端Si表面上にArプラズマを照射する実験を行い予備的な結果を得たので報告する。