The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[22p-A406-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Thu. Sep 22, 2022 1:00 PM - 5:00 PM A406 (A406)

Toru Harigai(Toyohashi Univ. of Tech.), Takayoshi Tsutsumi(名大)

4:00 PM - 4:15 PM

[22p-A406-12] Effect of Amplitude Modulated Discharge Method on TEOS Plasma CVD

Akihiro Yamamoto1, Iori Nagao1, Yuma Yamamoto1, Michihiro Otaka1, Daisuke Yamashita1, Kunihiro Kamataki1, Takamasa Okumura1, Naoto Yamashita1, Naho Itagaki1, Kazunori Koga1,2, Masaharu Shiratani1 (1.Kyushu Univ., 2.NINS.)

Keywords:Plasma CVD, Silicon dioxide, Amplitude modulated discharge

TEOSプラズマCVDは、二酸化ケイ素(SiO₂)を成膜する手法として主に使用されている。成膜過程におけるナノ粒子の発生・成長は、膜に混入することで膜質の低下や排気ポンプを詰まりを引き起こし,歩留まり悪化の要因となるため、ナノ粒子の成長抑制が重要な課題となっている。
本研究では、振幅変調(AM)放電法に着目し、ナノ粒子抑制に対するAM法の効果を検証した。