[22p-A406-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [22p-A406-12] 振幅変調放電法を用いたTEOSプラズマCVDへの効果

〇山本 晃大¹、長尾 伊織¹、山本 祐馬¹、大高 真寛¹、山下 大輔¹、鎌滝 晋礼¹、奥村 賢直¹、山下 尚人¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲^1,2、白谷 正治¹ (1.九大シス情、2.自然科学研究機構)

キーワード：プラズマCVD、二酸化ケイ素、振幅変調放電

TEOSプラズマCVDは、二酸化ケイ素(SiO₂)を成膜する手法として主に使用されている。成膜過程におけるナノ粒子の発生・成長は、膜に混入することで膜質の低下や排気ポンプを詰まりを引き起こし，歩留まり悪化の要因となるため、ナノ粒子の成長抑制が重要な課題となっている。
本研究では、振幅変調(AM)放電法に着目し、ナノ粒子抑制に対するAM法の効果を検証した。