[22p-A406-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[22p-A406-6] Ultra-fast Etching of Photo resist by Reactive Atmospheric-pressure Thermal Plasma Jet

〇(M2)Hibiki Kato¹, Hiroaki Hanafusa¹, Takuma Sato¹, Seiichirou Higashi¹ (1.Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima Univ.)

Keywords:plasma jet, etching, ashing

半導体製造プロセスにおいて、フォトレジスト(PR)塗布後のウエハエッジ部ではPRが厚くなるため露光工程に進む前にこれを除去する工程(Edge Bead Removal : EBR)が不可欠である。我々は大気圧プラズマジェット照射によってウエハエッジ部を局所的加熱すると同時にアッシングをおこなうことで高速PR除去が可能ではないかと考え実験を行った。