[22p-A406-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[22p-A406-6] 反応性大気圧熱プラズマジェットを用いたフォトレジストの超高速エッチング

〇(M2)加藤 響¹、花房 宏明¹、佐藤 拓磨¹、東 清一郎¹ (1.広島大先進理工)

キーワード：プラズマジェット、エッチング、アッシング

半導体製造プロセスにおいて、フォトレジスト(PR)塗布後のウエハエッジ部ではPRが厚くなるため露光工程に進む前にこれを除去する工程(Edge Bead Removal : EBR)が不可欠である。我々は大気圧プラズマジェット照射によってウエハエッジ部を局所的加熱すると同時にアッシングをおこなうことで高速PR除去が可能ではないかと考え実験を行った。