[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-10] 様々なドーピング密度を有するGaN p⁺-nおよびp-n⁺接合ダイオードの絶縁破壊電界

〇前田 拓也¹、成田 哲生²、山田 真嗣^3,4、加地 徹³、木本 恒暢¹、堀田 昌宏^1,3,5、須田 淳^1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.アルバック先進研、5.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、アバランシェ破壊、p-n接合

パワーデバイスの耐圧設計や安全動作領域の予測には，絶縁破壊の理解が不可欠である．近年，GaNのアバランシェ破壊の基礎研究に進展が見られ，衝突イオン化係数についても複数報告されている．これまで，耐圧維持層がn型であるGaN p⁺-n接合ダイオードについては複数の試作報告があるものの，p-n⁺接合の絶縁破壊は調べられていない．本研究では，様々なドーピング密度のGaN p-n⁺接合およびp-n⁺接合における絶縁破壊特性を詳細に調べたので報告する．