[22p-B204-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [22p-B204-13] 2.4 GHz Rectifier Characteristics of AlGaN/GaN HEMT Gated-Anode Diode for Microwave Wireless Power Transfer

〇Naoya Kishimoto¹, Yoichi Tuchiya¹, Debaleen Biswas¹, Qiang Ma¹, Yuji ando², Hidemasa takahashi², Akio Wakejima¹ (1.Nagoya Inst., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Gated-anode, Microwave Wireless Power Transfer

マイクロ波無線電力伝送はドローンなどの移動体機器への給電方法として注目されている。移動体機器に搭載する整流器は、W級以上の電力範囲において高効率で供給することが求められる。今回、我々は、マイクロ波・大電力の増幅器において高効率特性が実証されているAlGaN/GaN HEMTを基本構造として、ゲートとオーミック電極を短絡させたGated-anodeダイオードのマイクロ波整流特性を評価した。