[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22p-B204-13] マイクロ波無線電力伝送用AlGaN/GaN HEMT Gated-Anodeダイオードの2.4 GHz整流特性

〇岸本 尚也¹、土屋 洋一¹、Debaleen Biswas¹、馬 強¹、安藤 裕二²、高橋 英匡²、分島 彰男¹ (1.名工大、2.名大)

キーワード：GaN、Gated-anode、マイクロ波無線電力伝送

マイクロ波無線電力伝送はドローンなどの移動体機器への給電方法として注目されている。移動体機器に搭載する整流器は、W級以上の電力範囲において高効率で供給することが求められる。今回、我々は、マイクロ波・大電力の増幅器において高効率特性が実証されているAlGaN/GaN HEMTを基本構造として、ゲートとオーミック電極を短絡させたGated-anodeダイオードのマイクロ波整流特性を評価した。