[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-16] 2.4 Aノーマリーオフβ-Ga₂O₃ 縦型multi-fin FET

〇脇本 大樹¹、林 家弘¹、ティユ クァン トゥ¹、宮本 広信¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：ベータ酸化ガリウム、縦型MOSトランジスタ、HfO2ゲート絶縁膜

我々はβ-Ga₂O₃の特徴を生かし、10 kV級耐圧を持つ低オン抵抗縦型MOSトランジスタ(FinFET)の実現を目指して開発している。過去に低濃度厚膜(4.0 × 10¹⁵ cm^-3, 42 µm)のエピウエハ、High-k HfO₂ゲート絶縁膜を用いたsingle-fin FETを作製し、5.0 kV耐圧を実証している。今回はより大きな電流を得るため高濃度薄膜エピ(1.0 × 10¹⁶ cm^-3, 12 µm)を用いてmulti-fin FETを作製し、良好なFET特性、耐圧特性が得られたので報告する。