[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-4] GaNへの浅いMg、N連続注入によるp型高濃度領域の形成検討

〇田中 亮¹、高島 信也¹、江戸 雅晴¹、埋橋 淳²、大久保 忠勝²、Jun Chen²、関口 隆史² (1.富士電機、2.NIMS)

キーワード：窒化ガリウム、p型高濃度、イオン注入

縦型GaN MOSFETの実用化に向けて、p型オーミックコンタクトを取るための高濃度p型層をMgイオン注入により局所形成し、高活性を実現する必要があるが、19乗以上のMgをGaNに注入して活性化熱処理すると、注入時の欠陥導入によりMgが偏析し、偏析部以外のMg濃度が18乗台前半まで低下してしまう問題がある。今回は、注入による欠陥導入を抑制するため低エネルギーでの浅い注入を検討した結果を報告する。