[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22p-B204-9] 熱拡散法を用いて形成されたp-GaN中のMgの拡散

〇島村 健矢¹、伊藤 佑太¹、隈部 岳瑠¹、川崎 晟也¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗³、新田 州吾²、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：窒化ガリウム

局所的なp型伝導の実現はGaN縦型パワーデバイス作製において重要である。我々は前回、表面の金属Mgからの熱拡散によりp-GaNを形成、深さ方向へのMg拡散を評価し報告した。周辺耐圧構造を有する高耐圧縦型GaNデバイスの実現には、局所ドープされたMgの深さ及び面内方向分布の精密制御が必須である。本発表では熱拡散法により形成されたp-GaN領域幅の深さ方向と面内方向の関係について調査したので報告する。