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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-C200-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2022年9月22日(木) 13:30 〜 18:00 C200 (C200)

岩谷素顕(名城大)、本田善央(名大)、久志本真希(名大)

16:00 〜 16:15

[22p-C200-9] 低閾値化に向けた290nm帯AlGaN LD構造のドーピングマネージメント

〇前田哲利¹、平山秀樹¹ (1.理研)

キーワード：AlGaN、レーザーダイオード、ドーピングマネージメント