[23a-B101-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [23a-B101-4] Maximization of Nitrogen Radical Flux for High Through-Put Deposition of Boron Nitride Films with Controlled Bonding States

〇Yuya Asamoto^1,5, Takashi Hamano^1,5, Takayuki Matsuda¹, Masao Noma², Shigehiko Hasegawa³, Michiru Yamashita⁴, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.Shinko Seiki Co., Ltd., 3.Osaka Univ., 4.Hyogo Pref. Inst. Technol., 5.JSPS Research Fellow)

Keywords:Nitrogen radical flux, Boron nitride, Bonding state control

窒化ホウ素(BN)は複数の結合状態(sp², sp³結合)をとりうる材料である．特にsp³結合相からなるc-BNは超高硬度工具被覆材料として注目されている．sp³結合相を含むBN膜の高速堆積には，基板へのBフラックスの増加とともに，Nラジカルフラックス・イオン運動量フラックスの両方を高める必要がある．本研究では，放電解析に基づき，基板へのイオン衝撃を担保しつつNラジカルフラックスを最大化する方法論を提示する．