[23a-B101-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[23a-B101-9] 低温原子層堆積法による積層AlN、Al₂O₃ガスバリアの試作と評価

〇(D)齋藤 健太郎¹、吉田 一樹¹、三浦 正範²、鹿又 健作²、有馬 ボシールアハンマド¹、久保田 繁¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工、2.山形大院有機)

キーワード：原子層堆積法、窒化アルミニウム、ガスバリア膜

窒化アルミニウム(AlN)は、AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスターのパッシベーション層として期待される。パッシベーション層界面の固相反応を防ぐために、成膜温度の低温化が求められる。我々は、AlNの緻密性と耐水性を生かし、またAlNとAl₂O₃の交互積層とすることで迷路効果をもたせたバリア膜を検討した。本発表では、160℃での低温製膜で形成し、性能評価を行ったので報告する。