[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[23p-C102-1] 低加速・単色化STEMを用いた価電子EELSによるβ-Si₃N₄中のサブギャップ励起のナノスケール分布観察

〇浅野 孝典¹、手面 学¹、齋藤 真澄¹、田中 洋毅¹、吉川 純²、木本 浩司² (1.キオクシア、2.NIMS)

キーワード：窒化シリコン、STEM、EELS