[22a-E302-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22a-E302-4] Dependence of 2DEG mobility on carrier concentration in InAlN/AlN/GaN structures

〇(M1)Yuta Komori¹, Kazuo Tsutsui¹, Takuya Hoshii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kiyotaka Miyano², Takashi Yoda², Ichirou Mizushima², Masayuki Tsukui² (1.Tokyo Tech, 2.NuFlare Technology)

Keywords:InAlN/GaN HEMT, HEMT

近年、従来のAlGaN/GaN系HEMTに比べ、InAlN/GaN系HEMTの高周波デバイスへの応用が期待されている。一方、InAlN/GaN構造では2DEGの移動度が低い問題があったが、界面にAlNスペーサ層を 挿入したInAlN/AlN/GaN構造では移動度が増大でき、かつその厚さに1nm程度の最適値があることも知られている。しかし、この機構はまだ充分理解されていない。前回まで我々はAlN層厚に依存したキャリア散乱機構を移動度の温度特性から調べてきたが、その知見を進めるために、今回は移動度の2DEG濃度依存性を検討した。