[22a-E302-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22a-E302-5] Characterization of parallel conduction for the AlGaN/GaN MIS-HEMTs

〇Ryota Ochi¹, Tamotsu Hashizume¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE)

Keywords:GaN, HEMT

GaN系HEMTの高周波増幅器への応用には、大振幅動作時のゲート漏れ電流制御の点から、MIS構造が望ましい。しかし、順バイアス領域において、移動度が低いMIS界面に電子が蓄積されチャネルが形成されることで、ヘテロ界面とのパラレル伝導が生じ、電流線形性の劣化を引き起こしている可能性がある。本報告では、バリア層の上により高いE_Gを有する2ndバリア層を追加したHEMT構造を作製し、その特性評価を行ったので報告する。