[24a-E103-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[24a-E103-2] Evaluation of contact resistance fabricated by minimal Fab

〇Masashi Kase¹, Shuichi Noda¹, Khumpuang Sommawan^1,2, Hara Shiro^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:minimalfab, Al Sputter, Contact

ミニマルファブではデバイスシュリンクを検討しており、重要なキーの一つとしてコンタクト抵抗の低抵抗化と安定性がある。Al-Si(1%)スパッタの圧力を低くするとグレインが大きくなり、コンタクト抵抗は低くなるが、Alエッチング後にSi残渣が発生する。Alグレインを大きくするには、圧力以外にもTS間距離を短くする方法もある。TS間距離を短くした時のコンタクト抵抗とAlエッチング後のSi残渣の有無について報告する。