2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2022年3月24日(木) 09:00 〜 12:30 E103 (E103)

角嶋 邦之(東工大)、岡田 竜弥(琉球大)

09:15 〜 09:30

[24a-E103-2] ミニマルファブで作成したコンタクト抵抗の評価

〇加瀬 雅1、野田 周一1、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマル)

キーワード:ミニマルファブ、Alスパッタ、コンタクト

ミニマルファブではデバイスシュリンクを検討しており、重要なキーの一つとしてコンタクト抵抗の低抵抗化と安定性がある。Al-Si(1%)スパッタの圧力を低くするとグレインが大きくなり、コンタクト抵抗は低くなるが、Alエッチング後にSi残渣が発生する。Alグレインを大きくするには、圧力以外にもTS間距離を短くする方法もある。TS間距離を短くした時のコンタクト抵抗とAlエッチング後のSi残渣の有無について報告する。