[24p-E302-1~16] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [24p-E302-4] Impacts of hydrogen treatment time on characteristics of SiC MOSFETs fabricated with oxidation-suppressed process

〇Shunsei Muraki¹, Kyota Mikami¹, Keita Tachiki¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Silicon Carbide, MOSFET

SiC MOSFETのさらなる性能向上には、MOS界面に存在する高密度界面準位の低減が必須である。近年、我々は、酸化を抑制した新たなゲート酸化膜形成により界面準位密度(D_it)が著しく低減され、チャネル移動度を大幅に向上できることを報告した。しかし、新プロセスにおいてSiO₂堆積前に行う水素処理の時間がデバイス特性に与える影響は未知である。そこで本研究では、水素処理時間を変化させた(8–30分)MOSFETの電気的特性を評価したので報告する。