[25a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[25a-E203-6] The sourse gas flow timing in the CVD of hexagonal boron nitride thin films

〇Riku Yoshioka¹, Yuki Tanaka¹, Taira Watanabe¹, Katsumi Masuda¹, Taiki Oishi¹, Kirari Masuda¹, Hiroko Kominami¹, Kazuhiko Hara^2,3 (1.GSIST Shizuoka Univ., 2.GSST Shizuoka Univ., 3.RIE Shizuoka. Univ)

Keywords:hexagonal boron nitride, chemical vapor deposition, sapphire substrate

六方晶窒化ホウ素( h-BN )は電子デバイスや深紫外光源への応用が期待されているⅢ-Ⅴ族材料である。本研究では減圧CVDにおいて、原料ガス( NH₃およびBCl₃ )を反応管に導入するタイミングが薄膜成長に与える影響を調査した。NH₃を先に反応管に導入すると基板表面が窒化され、h-BNの形成を阻害する可能性があることがわかった。また、BCl₃を先に導入すると薄膜の発光特性が低下することがわかった。