[25p-E104-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[25p-E104-6] Computational analysis of rare gas diluted tetraethoxysilane (TEOS) plasmas for clarification of deposition mechanism in PECVD process

〇HU LI¹, Koichi Ishii², Shun Sasaki², Mao Kamiyama², Akinori Oda², Kazuki Denpoh¹ (1.Tokyo Electro Technology Solutions, 2.Chiba Inst. Technol.)

Keywords:PECVD, plasma simulation, TEOS

テトラエトキシシラン(TEOS)は，シリコン酸化膜(SiO₂)の原料ガスとして古くから用いられてきた．近年では3D NAND形成にも使用され，そのPECVDプロセスにおいて高速かつ均一な成膜面内分布の両立制御が求められている．プラズマ中に生成される活性種の把握は，成膜反応・メカニズムを理解する第一歩となるが，報告例は限られる．そのため著者らは，電子衝突によるTEOSの中性解離反応モデルを構築した．本報では，その反応モデルに基づき，希ガス(Ar, He)で希釈したTEOSプラズマ中で生成，電極に入射する粒子種を解析する．