[25p-E104-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[25p-E104-7] Residual Stress and IR Transmittance of SiO₂ Thin Films Coated with HC-PECVD

〇Tsuyoshi Otani¹, Takumi Ogiri², Hidehiko Yoda² (1.AIOT, 2.Utsunomiya Univ.)

Keywords:PECVD, SiO2, Residual Stress

Hollow Cathode PECVDを用いて高密度SiO₂ 薄膜の成膜条件を検討している． 高密度化に伴い膜内残留応力の増大が懸念される．今回，高屈折率膜と低屈折率膜を成膜し，それぞれの残留応力と赤外透過率スペクトルを測定した．赤外透過率の吸収スペクトルから化学結合種を同定し，屈折率，残留応力との関係を調べた．それらの結果を報告する．