[26a-E103-1~9] 13.3 Insulator technology

[26a-E103-5] Analysis of the energy depth of electron trap centers in silicon nitride films

〇Soichiro Nakagawa¹, Kiyoteru Kobayashi¹ (1.Tokai Univ)

Keywords:silicon nitride film, nonvolatile memory, flash memory

シリコンリッチなシリコン窒化膜（N/Si組成比が1.16）からなるシリコン窒化膜-シリコン酸化膜二層膜の高温領域の伝導電流を、Poole-Frenkel伝導モデルを用いて解析し、シリコン窒化膜中の電子トラップの深さを調べた。また、N/Si組成比が1.16と1.22のシリコン窒化膜-シリコン酸化膜二層膜の電子トラップ深さを比較し、高いN/Si組成比の窒化膜の電子トラップが深いという結果を得た。