[26a-E103-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[26a-E103-5] シリコン窒化膜の伝導電流解析による電子トラップのエネルギー深さの検討

〇中川 宗一郎¹、小林 清輝¹ (1.東海大院工)

キーワード：シリコン窒化膜、不揮発性メモリ、フラッシュメモリ

シリコンリッチなシリコン窒化膜（N/Si組成比が1.16）からなるシリコン窒化膜-シリコン酸化膜二層膜の高温領域の伝導電流を、Poole-Frenkel伝導モデルを用いて解析し、シリコン窒化膜中の電子トラップの深さを調べた。また、N/Si組成比が1.16と1.22のシリコン窒化膜-シリコン酸化膜二層膜の電子トラップ深さを比較し、高いN/Si組成比の窒化膜の電子トラップが深いという結果を得た。