[26p-E202-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26p-E202-4] OVPE法によるサファイア及びGa₂O₃基板上β-Ga₂O₃結晶成長

〇今西 正幸¹、小林 大也¹、奥村 加奈子¹、細川 敬介¹、宇佐美 茂佳¹、富樫 理恵²、秦 雅彦³、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.上智大理工、3.伊藤忠プラスチックス(株))

キーワード：酸化ガリウム、OVPE、ホモエピタキシャル成長

我々はこれまでにオキサイド気相成長法（OVPE）法を用い，低転位GaN基板の開発を行ってきた．当該手法はⅢ属源としてGa₂Oガス，Ⅴ族源としてアンモニアを利用するが，Ⅴ属源を酸化物に置き換えることでⅥ属源として供給し，Ga₂O₃結晶の成長も可能であると考えた．当該手法では原料分子種に塩化物を用いず，より簡便な成長手法となりうる．そこで今回，Ⅵ属源にH₂Oガスを利用したOVPE法によりGa₂O₃結晶が成長可能か検証を行った．