14:15 〜 14:30 [17p-A205-6] チャンバー内での直接気化を利用した水蒸気プラズマによるOH基の修飾 〇田口 貢士1、柏木 大樹1、登尾 一幸1、山原 基裕1、富川 弥奈1、山村 明弘1 (1.魁半導体)