[15a-A301-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-A301-2] 電子線照射による4H-SiC中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成

〇張 啓航^1,2、佐藤 真一郎²、村田 晃一³、花輪 雅史³、元木 秀^1,2、張 盛杰^1,2、土田 秀一³、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大院、2.量研、3.電中研)

キーワード：炭化ケイ素、窒素・空孔複合欠陥、フォトルミネッセンス

炭化ケイ素(SiC)半導体は光学的に操作が可能なスピン欠陥が複数報告されており、その中でも、-1価の窒素・空孔複合欠陥（N_CV_Siセンター）は、室温で光通信波長帯での発光を示すことから、長距離伝送が可能な量子センシングへの応用が期待できる。本研究では、N_CV_Siセンターの形成に対する初期窒素濃度、電子線照射量、熱処理温度の影響を網羅的に調査し、効率的な高濃度N_CV_Siセンター形成方法について検討した。