[15a-A301-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A301-6] 光学検査手法、フォトルミネッセンス法、X線トポグラフ法による3チャンネルSiCエピタキシャル層欠陥検出技術開発

〇先崎 純寿¹、西野 潤一¹、小山内 努¹、山口 浩¹ (1.産総研)

キーワード：SiC、欠陥

通常、SiCエピタキシャルウェハの欠陥検査には光学検査手法とフォトルミネッセンス（PL）法が使用されるが、異なる欠陥クラスでも同様なエピ表面形態を示す場合やPL像にコントラスが確認されない場合に、一部の欠陥クラスに対して未検出・誤検出に起因する検査精度の低下を生じる。この課題解決のため、光学検査手法、PL法、X線トポグラフ（XRT）法で構成される3チャネルSiCエピタキシャル層欠陥解析ソリューションを開発した。