[15a-B401-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-B401-2] その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入
GaInN RF-MBE成長における格子緩和過程観察

〇(M1)竹内 丈¹、佐々木 拓生²、横山 晴香¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹、名西 憓之³ (1.工学院大学、2.量子科学技術研究開発機構、3.立命館大学)

キーワード：RF-MBE、GaInN、XRD-RSM