The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[15a-B410-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Wed. Mar 15, 2023 9:00 AM - 11:30 AM B410 (Building No. 2)

Tatsuya Okada(Univ. of the Ryukyus), Yan Wu(Nihon Univ.)

10:45 AM - 11:00 AM

[15a-B410-7] Formation of RDL (Re-Distribution Layer) on Epoxy Molding Compound by Semi-Additive Process

Fumito Imura1,2, Mitsuru Ozono1, Sommawan Khumpuang1,3, Shiro Hara1,2,3 (1.AIST, 2.Hundred, 3.MINIMAL)

Keywords:Minimal Fab, RDL

ミニマルファブでは、FOWLPやチップレットなどの先端パッケージング技術に先行してBGAパッケージ上のRDL形成プロセスを開発してきた。しかし、サブトラクティブ法を用いてRDLを形成していたため、ウェットエッチング時に生じるアンダーカットやサイドエッチングなどの影響で線幅が設計値よりも細くなる課題があった。そこで、今回はセミアディティブ法を用いて、RDL形成を形成したので、その結果を報告する。