[15a-D511-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[15a-D511-11] TCAD Simulation Analysis of Recrystallization Behavior on Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Silicon wafer Surface

〇kouji kobayashi¹, Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Ayumi Masada¹, Ryo Hirose¹, Akihiro Suzuki¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:molecular ion implantation, recrystallization

CMOSイメージセンサ向けに重金属ゲッタリング能力を強化した高ドーズ量炭化水素分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの開発を検討している。高ドーズ量炭化水素分子イオン注入後には結晶性回復熱処理が必要となるが、表面の離散的アモルファスにおける再結晶化挙動は明確ではなく、実験的に評価することは難しい。そこで今回、微視的な再結晶化挙動の解析を目的として、TCADプロセスシミュレーションを実施した。