[15a-D511-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[15a-D511-8] Gettering Mechanisms of Silicon Hydride and Hydrocarbon Hybrid-Molecular-Ion-Implanted Silicon Epitaxial Wafer

〇Ryo Hirose¹, Ayumi Onaka-Masada¹, Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Koji Kobayashi¹, Akihiro Suzuki¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO CORPORATION)

Keywords:Gettering, Silicon wafer

CMOSイメージセンサの高感度化に寄与できる新たな近接ゲッタリング技術として、シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピウェーハの開発を進めている．本技術は従来の炭化水素分子イオンに加えて、シリコン系分子イオンを一つのイオンビームに混合させてイオン注入する技術である．今回は、本技術を用いて形成したゲッタリングシンクのNiに対するゲッタリングメカニズムの検証を行ったので報告する．