[15a-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D511-8] シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピウェーハのゲッタリングメカニズム解析

〇廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、小林 弘治¹、鈴木 陽洋¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.株式会社 SUMCO)

キーワード：ゲッタリング、シリコンウェーハ

CMOSイメージセンサの高感度化に寄与できる新たな近接ゲッタリング技術として、シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピウェーハの開発を進めている．本技術は従来の炭化水素分子イオンに加えて、シリコン系分子イオンを一つのイオンビームに混合させてイオン注入する技術である．今回は、本技術を用いて形成したゲッタリングシンクのNiに対するゲッタリングメカニズムの検証を行ったので報告する．