[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-12] 蛍光X線ホログラフィー法によるVドープBiFeO₃薄膜の局所構造解析

〇有馬 知希¹、中嶋 誠二¹、木村 耕治²、林 好一²、八方 直久³、藤澤 浩訓¹ (1.兵庫県立大工、2.名古屋工業大工、3.広島市立大情報)

キーワード：強誘電体、ビスマスフェライト、蛍光X線ホログラフィー

BiFeO₃(BFO)は自発分極の反転により導電性を変化させることができることから、強誘電性半導体として有力な材料である。また、BFO薄膜はMn等の遷移金属をドープすることで、導電性を変化することがよく知られている。本研究では、Mnとは異なる特性が得られると予測されているVをドープしたBFO薄膜を蛍光X線ホログラフィーにより評価した。