[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-8] 窒素プラズマ処理基板上に製膜したHZO薄膜の強誘電体特性の改善

〇早川 洸海¹、田中 将¹、野田 実¹ (1.京工繊大工)

キーワード：強誘電体、プラズマ処理

HZO薄膜の強誘電性をさらに改善するため、HZO/TiN界面近傍の特性に起因するリーク電流を十分抑制する手法としてTiN基板表面に窒素プラズマ処理を行い、同界面状態の改善から同特性が向上するかを検討した。同時に、RTA時や成膜時の酸素雰囲気条件を制御することで強誘電体o相の形成に有効な酸素欠陥密度の検討もした。さらにPt基板上にも同処理を施して製膜したHZO薄膜で同様の効果があるか検討した。