[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15p-A404-9] RTA時種々電界印加のHf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体薄膜電気特性への効果

〇(M2)田中 将¹、早川 洸海¹、野田 実¹ (1.京工繊大)

キーワード：強誘電体

近年、ハフニア系の強誘電体薄膜は数nmまでの極薄膜化が可能であることが報告された。当系の強誘電性の起源は準安定相であるo相にあり、その安定化に種々の方法がなされてきた。今回、我々はアニール中に交流の電界印加を行うことで強誘電性にどういった影響、効果を与えるかを調べた。その結果、その印加前後でインプリント現象の明白な低減、残留分極密度の向上が観察された。今後さらなる強誘電体特性の改善が期待される。