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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2023年3月15日(水) 13:00 〜 17:30 B410 (2号館)

曽根正人(東工大)、居村史人(Hundred Semiconductors)

15:45 〜 16:00

[15p-B410-10] 低温単結晶Si-TFTの諸特性とばらつきに関する考察

〇葉文昌¹、大矢雅人¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：半導体、シリコン、レーザー結晶化