[15p-B410-1~15] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[15p-B410-3] Influence of Low-Temperature Annealing on Phosphorus Diffusion in Silicon

〇Atsushi Furukawa¹, Shinya Sato¹ (1.TDSC)

Keywords:Silicon, Diffusion, Phosphorus

低耐圧パワーMOSFETは、環境負荷低減のためドリフト層となるエピタキシャル膜を薄化する傾向にある。しかし、高濃度基板からの不純物拡散量が想定以上に増大すると、実効エピタキシャル膜厚が目減りしてしまい、耐圧の悪化に繋がってしまう。今回、我々は、燐が高濃度にドープされた基板からエピタキシャル膜中への燐拡散に着目し、低温熱処理（本報告では700℃以下）がその拡散に与える影響について報告する。