[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-3] シリコン中の燐拡散において低温熱処理が与える影響

〇古川 篤¹、佐藤 慎哉¹ (1.東芝ﾃﾞﾊﾞｲｽ&ｽﾄﾚｰｼﾞ)

キーワード：シリコン、拡散、燐

低耐圧パワーMOSFETは、環境負荷低減のためドリフト層となるエピタキシャル膜を薄化する傾向にある。しかし、高濃度基板からの不純物拡散量が想定以上に増大すると、実効エピタキシャル膜厚が目減りしてしまい、耐圧の悪化に繋がってしまう。今回、我々は、燐が高濃度にドープされた基板からエピタキシャル膜中への燐拡散に着目し、低温熱処理（本報告では700℃以下）がその拡散に与える影響について報告する。