[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-5] MONOS型ポリシリコンTFTでのしきい値電圧制御に関する検討

〇後藤 哲也¹、諏訪 智之¹、須川 成利¹ (1.東北大未来研)

キーワード：ポリシリコン、電荷蓄積層、薄膜トランジスタ

ポリシリコンTFTの課題であるしきい値電圧（Vth）等の電気的特性のばらつきを低減させるため、不揮発性メモリで用いられるような電荷蓄積層を有する金属/酸化膜/窒化膜/酸化膜/シリコン（MONOS）構造をゲート絶縁膜に導入し、Vth制御を行うことを検討している。初期検討として、MONOS型TFTを作製し、ゲートに正バイアスを印加して電荷蓄積層に電荷を注入し、Vthが変化することを確認できた。