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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2023年3月15日(水) 13:00 〜 17:30 B410 (2号館)

曽根正人(東工大)、居村史人(Hundred Semiconductors)

14:30 〜 14:45

[15p-B410-6] ガラス基板上の多結晶Si_1-xGe_x薄膜トランジスタ特性の膜厚依存性

〇佐川達哉¹、原明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：半導体、SiGe、薄膜トランジスタ