[16a-A301-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[16a-A301-4] DFT study on effect of NO annealing on mobility at SiC/SiO₂ with atomic scale steps

〇Nahoto Funaki¹, Kazuma Yokota¹, Mitsuharu Uemoto¹, Takuji Hosoi², Tomoya Ono¹ (1.Kobe Univ., 2.Kwansei Gakuin Univ.)

Keywords:semiconductor

SiC/SiO2界面の移動度がバルク中の移動度に比べて著しく低く、NOアニールによって可動キャリアが増えてもMOSとしての移動度は期待されるほど上がらない。第一原理計算を用いてSiC/SiO2ステップ界面における窒化前後の電子状態の変化を調べたところ、窒化前の界面では上側テラスとSiO2の結合状態によって現れなかった伝導帯端準位が、窒化後は出現した。これは窒化により界面の電子状態が整えられ、可動キャリアが増えることを示唆する。